SK海力士宣布率先全球量产12层堆栈HBM3E

韩国内存大厂SK海力士宣布，率先业界开始量产12层堆栈的HBM3E内存，完成了现有HBM产品中最大36GB容量的目标。

SK海力士表示，高带宽内存 (HBM, High Bandwidth Memory) 一种高附增值、高性能的内存。与现有的DRAM产品相比，通过垂直互联多个DRAM芯片，使数据处理速度显著提高。该产品按照HBM第1代 （HBM）-第2代 （HBM2）-第3代 （HBM2E）-第4代 （HBM3）-第5代 （HBM3E）的顺序开发，HBM3E是HBM3的扩展版。

SK海力士指出，现有的HBM3E最大容量为24GB，由8颗3GB DRAM芯片垂直堆栈而成，公司将在2024年底前向客户提供相关产品，这是继2024年3月在业界率先向客户供应8层堆栈HBM3E内存之后，仅时隔6个月再次展现出其压倒性的技术实力。



SK海力士强调，自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1) 内存，到先前推出第五代HBM(HBM3E ) 之后，公司是唯一一家开发完成，并能向市场供应全系列HBM产品的企业。 SK海力士率先成功量产12层堆栈的产品，在针对AI的内存所需要的速度、容量、稳定性等所有方面都已达到全球最高水准，不仅满足了AI企业日益发展的需求，同时也进一步巩固了SK海力士在针对AI的内存市场的领导者地位。

SK海力士进一步指出，此新产品的运行速度提高至现有内存的最高速度9.6Gbps，其是在以搭载四个HBM的单个GPU运行大型语言模型 （LLM）Llama 3 70B时，每秒可读取35次700亿个整体参数的水准。而堆栈12颗3GB DRAM芯片，完成与现有的8层堆栈产品相同的厚度，同时容量提升50%。为此，SK海力士还将单个DRAM芯片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技术 （TSV） 技术垂直堆栈。

此外，SK海力士也解决了在将变薄的芯片堆栈更多时产生的结构性问题。公司将其核心技术先进MR-MUF技术应用到此次产品中，放热性能较上前一代提升了10%，并增强了控制翘曲问题，从而确保了稳定性和可靠性。

SK海力士AI Infra业务社长金柱善表示，我们再次突破了技术壁垒，证明了我们在面向AI的内存市场中独一无二的主导地位。为了迎接AI时代的挑战，我们将稳步准备下一代内存产品，以巩固全球顶级针对AI的内存供应商的地位。

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