台积电拿下SK海力士HBM4先进制程与封装大单，携手合作联...

韩国内存大厂SK海力士宣布，公司就下一代HBM产品生产和加强融合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电公司密切合作，双方近期签署了谅解备忘录（MOU）。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。

SK海力士表示，公司作为AI应用的内存领域的领先者，与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作，将会继续引领HBM技术创新。通过以构建IC设计厂、芯片代工厂、内存厂三方技术合作的方式，公司将实现内存产品性能的新突破。

两家公司将首先致力于针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片（Base Die）进行性能改善。HBM是将多个DRAM裸片（Core Die）堆栈在基础裸片上，并通过TSV技术进行垂直连接而成。基础裸片也连接至GPU，发挥对HBM进行控制的作用。

SK海力士表示，以往的HBM产品，包括HBM3E（第五代HBM产品）都是采用公司自家制程技术来制造的基础裸片。但从HBM4产品开始计划采用台积电的先进逻辑（Logic）制程技术，借由基础裸片采用超细微制程来增加更多的功能。由此，公司计划生产在性能和功效等方面更广的满足客户需求的定制化（Customized）HBM产品。

另外，SK海力士与台积电的合作，双方将协助优化SK海力士的HBM产品和台积电的CoWoS技术融合，共同应对HBM相关客户的要求。