魏哲家说台积电3纳米优于Intel 18A获证实

芯片代工三巨头台积电、英特尔、三星谁也不让谁，都说自家制程最领先，现在出现比较表格，显示台积电先进制程无论晶体管密度、运算性能、能耗效率等都为第一。

外媒报道，最近2024 SEMI International Strategy Symposium，TechInsights分享台积电、英特尔、三星先进制程比较，台积电总裁魏哲家曾表示，3纳米性能比英特尔Intel 18A好，这表格符合这说法。



因英特尔并没有公布能耗数据，但从晶体管密度看，不论台积电3纳米N3制程或强化版N3E，晶体管密度283MTx/mm²（每平方毫米百万晶体管）及273MTx/mm² 都高过英特尔Intel 18A的195MTx/mm²。英特尔Intel 18A采背后供电 (Backside power)，对降低能耗有一定帮助，但账面数字看Intel 18A大幅超越台积电3纳米性能还是不太可能。

除了英特尔，三星先跨入GAA架构Nanosheet制程，力图弯道超车台积电。比较晶体管密度、性能、能耗后，同年制程三星都落后台积电；台积电晶体管密度也约是三星1.5倍以上；先进制程客户数量方面，台积电也远远超过三星。

台积电说明会说，2纳米如期2025下半年量产，3纳米家族也持续扩大强化版。N3E于2023年第四季量产后，之后还有N3P和N3X，近期AI需求激增，也支持节能运算需求加速增长，又使3纳米家族营收占比提高。

日前IFS Direct Connect英特尔分享“四年五节点”最后节点Intel 18A制程后计划，公布新制程，添加Intel 14A-E和数个专业节点强化版。照英特尔计划，Intel 14A最快2026年量产，Intel 14A-E要到2027年。但英特尔还未宣布Intel 14A和Intel 14A-E产品。

三星2022年6月底为全球首家量产采用全栅极（GAA）架构3纳米的厂商，2024年量产第二代3纳米，2025年量产2纳米。最近三星通知客户和合作伙伴，第二代3纳米更名为2纳米，韩国业界人士表示接到三星通知，2023年与三星代工厂签订第二代3纳米协议，也会改名为2纳米，近期会重新拟约。