台积电2纳米制程进展顺利，宝山P1厂最快第二季初设备安装

根据市场消息指出，芯片代工龙头台积电预计自2纳米制程开始采用GAA（全栅极环绕）架构的计划将如期执行。现阶段位于新竹科学园区的宝山P1芯片厂，预计最快将在2024年的4月份开始进行设备安装的工程，这也将使得P2工厂和高雄工厂都将于2025年开始生产GAA架构的2纳米制程技术。

而因为P2工厂和高雄工厂都将于2025年开始生产GAA架构的2纳米制程技术，加上中科部分初步规划的A14和A10生产线，未来也将应对市场的需求状况，进一步规划2纳米制程技术的情况下，未来2纳米制程技术将会成为台积电接下来一个重要的制程节点。在此情况下，半导体设备厂商包括国际大厂ASML、应用材料，还有多家台湾供应商都将预计将能迎接新一阶段的商机。

根据台积电的财报显示，2023年第三季在3纳米制程技术的营收占比约为6%左右，现阶段3纳米制程的月产能也已经逐步增加到10万片的规模，这将对于台积电对于2024年对营收的贡献更大。其中，继N3B制程之后，性能更好的N3E也已经在2023年第四季开始量产，接下来还有N3P、N3X制程技术，也将满足各类客户的需求。



接下来，对于台积电即将在2025年量产的2纳米制程技术，当前的客户都兴趣浓厚。其中，又以HPC高性能计算、智能手机两大应用领域最为积极。而由于英特尔在日前宣布，已经取得ASML旗下首套High-NA EUV曝光设备的情况下，尽管台积电尚未公布这类设备的采购计划，但因为曝光设备是先进制程所不能或缺的，相信台积电也已经有所规划。只是，要将High-NA EUV曝光设备自哪一个制程开始使用，则还有待后续观察。