三星宣布量产236层堆栈3D NAND Flash闪存芯片

面对竞争对手美光及SK海力士的竞争，虽然还没有发布任何实际产品，但内存龙头三星仍宣布已经开始大规模生产其236层3D NAND Flash闪存芯片，该公司将其命名为第8代V-NAND。

根据三星的表示，新一代3D NAND Flash闪存可带来2400MTps的传输速度，当搭配高端主控芯片使用时，它可使得消费级SSD的传输速度轻松超过12GBps。当前，三星可提供的第8代V-NAND的1Tb (128GB) 方案。不过，三星暂时没有公开3D NAND Flash闪存芯片的大小和实际密度，只宣称达到了业界最高的单位容量密度。

另外，三星强调，相较现有相同容量的NAND Flash闪存，其新一代3D NAND Flash闪存可提高20%的芯片产出率，如此在相同良率情况下来进一步降低了成本，这可能代表着大家有望买到同容量，但更便宜的SSD。

三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hur表示，由于市场对更密集、更大容量存储的需求，带动了更高的闪存层数发展。三星采用了先进的3D压缩技术，以减少表面积和厚度，同时避免通常在压延时出现的单元间干扰现象。因此，三星第8代V-NAND闪存将有助于满足快速增长的市场需求，并使更好的提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。

另外，三星对其3D NAND Flash闪存的发展表示，到2030年之际将将打造出1,000层的V-NAND Flash。为了完成这一目标，三星正在从其当前的TLC架构转换到QLC架构，以提高密度，并增加更多层数。三星也预计将在DRAM研发上投入更多资源，以研究新的架构和材料，例如High-K，以帮助将DRAM扩展到10纳米制程等级以下。至于，针对先进内存解决方案，三星目前也在研究内存处理 (PIM) 的产品。