鸿海拼打通碳化硅任督二脉，关键在哪？

鸿海科技日展示多项电动汽车关键零部件，其中重中之重的是首度亮相的SiC（碳化硅）芯片，其占SiC模块成本高达约85%，其中成功长出高品质晶锭（Ingot）是关键，也是鸿海电动汽车业务能否迈开大步、免于受关键零部件掣肘的关键拼图，若SiC长晶环节能顺利打通、导入量产，有助于鸿海进一步扩大平台出海口，让潜在客户买单。

SiC模块相较于硅基IGBT具备导通电阻较小、损耗较小等优势，其特性较耐高温、高压，近年随着特斯拉率先于Model 3将SiC模块导入逆变器，开始带动其他车厂跟进。

相较于IGBT模块其中芯片成本占约60%，SiC模块其中芯片成本占超过8成多，是成本主要来源。而SiC芯片制造门槛非常高，需要在特殊温场下，采用物理气相传输法（physical vapor transport）生长不同尺寸的SiC Ingot，经过多道工序产出SiC基板。其中，关键环节是晶体生长（长晶），也就是长出高品质晶锭。

全球握有稳定长晶技术的包括Wolfspeed、Rohm、II-VI等少数厂商，由于长晶过程较为耗时，且来源有限之下，SiC基板产出量非常稀少，目前市场仍处于供不应求，因此具备SiC芯片长晶技术就等于握有市场话语权以及价格竞争优势。

鸿海在2021收购旺宏的6英寸芯片厂，取得SiC芯片制造的产能，并将该厂转入鸿海旗下鸿扬半导体中运行；不过上游关键基板拼图，是后续再通过参与太极旗下盛新材料募集资金案、取得10%股权之后才完成。

盛新材料的技术团队，已经在碳化硅长晶有十几年经验，据了解，盛新材料一开始是通过引进国外turnkey技术，以及后来公司再加入于碳化硅领域多年的团队，才慢慢发展起来。

知情人士指出，相较于台厂同业在长晶环节暂时还无法有效突破，盛新材料目前已有能力稳定长出6英寸晶锭。

产业人士指出，要能自主长出高品质晶锭，关键在于长晶炉要有自己的热场设计，而热场设计得来不易，因为长晶成功与否，过程偏向经验法则，需要大量错误经验累计、试错，才能慢慢摸索出方向，这个过程非常花时间。

产业人士指出，碳化硅长晶速度比硅半导体更久，长晶过程中，一个参数加入去，无法马增至到结果，即使看到结果，也只能猜可能是这个参数带来的改变，很多变因都无法确定。

盛新材料目前已经完成6英寸产品量产准备，已可应对市面上主流规格，目前国际大厂如Wolfspeed开始走入8英寸，盛新材料目前也已展开8英寸产品开发，目标2025年第2季量产。

鸿海若能在SiC长晶环节打通气结，后续的芯片制造、功率模块、电动汽车马达逆变器，再到电动汽车动力总成平台的各个环节就会畅通。根据鸿扬半导体的产品规划，自行开发的1200V SiC Mosfet Wafer，目前在客户送样阶段，目标明年7月量产。

整体而言，鸿海在SiC功率模块的布局，已经在最困难的长晶取得阶段性的成果，有利于让潜在电动汽车客户看到鸿海在关键零部件的掌握度，后续鸿海SiC模块导入量产进度成为观察重点，也成为鸿海未来能否让电动汽车成为公司下一个兆元产业的关键所在。