英特尔宣布量产3D Foveros先进封装技术，挑战台积电领先地位

darthracer · 2024-2-17 09:01

英特尔25日宣布，业界领先的半导体封装解决方案已经开始大规模生产，其中还包括英特尔突破性的3D Foveros先进封装技术。

英特尔表示，这一技术是在最新完成升级的美国新墨西哥州Fab 9进行生产的。英特尔公司执行副总裁兼全球首席运营官Keyvan Esfarjani表示，先进封装技术让英特尔脱颖而出，帮助我们的客户在芯片产品的性能、尺寸，以及设计应用的灵活性方面获得竞争优势。

英特尔强调，随着整个半导体产业进入在单个封装中集成多个小芯片（Chiplets）的一直集成时代，英特尔的3D Foveros和2.5D EMIB等先进封装技术将可以完成在单个封装中集成一兆个晶体管，以便在2030年之后继续持续推动摩尔定律的前进。

根据英特尔的讲解，英特尔的3D Foveros先进封装技术在处理器的制造过程中，能够以垂直而非水准方式堆栈计算模块。此外，3D Foveros让英特尔及其代工客户能够集成不同的计算芯片，优化成本和能效。英特尔进一步指出，为满足市场需求，规划到2025年时，其3D Foveros先进封装的产能将增加四倍。

事实上，当前包括AI运算在内的高性能计算市场需求大幅提升，目前芯片代工龙头台积电的CoWoS先进封装产能也正在积极的扩产其中。根据市场消息指出，根据估算，排除Amkor等添加产能，台积电2024年底CoWoS月产能将达3.2万片，2025年底再增至4.4万片。而随着英特尔宣布量产3D Foveros先进封装技术，预计接下来的先进封装市场发展也将更趋激烈。