新标准型EUV部分采High-NA EUV技术，提高曝光效率超过20%
荷兰媒体Bits & Chips报道，曝光机大厂ASML确认，新标准型0.33 NA EUV曝光机NXE:3800E导入部分High-NA EUV技术，工作效率提升。
ASML表示，新标准型EUV曝光机NXE:3800E已出货，执行效率可达每小时195片芯片，较旧机型160片提高近22%。
下代High-NA高数值孔径EUV采用更宽光锥，在EUV反射镜撞击角度更宽，芯片曝光时导致光损失，故ASML提高光学系统放大倍率，将光线入射角调回合适大小。
不过光罩尺寸不变，增加光学系统放大倍率，会因曝光场减少影响芯片量。ASML仅一个方向将放大倍数从四倍提升至八倍，使曝光场仅缩小一半。
为了降低曝光时间，提升工作效率，有必要提升曝光机载台运动速率。ASML工程师开发同时兼容0.33NA数值孔径系统的新款快速载台运动系统，对NXE:3800E而言，光学组件相同之前的3600D机型，仅是配备了更高效的EUV光源，工作量提升来自每次曝光间芯片移动加速。与NXE:3600D相比，NXE:3800E载台移动速度提升两倍，曝光步骤总时间也约减少一半。
运行速度更快，也使能效提升，ASML发言人表示，NXE:3800E整体节省约20%-25%能源。
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