工研院、台积电合作开发SOT-MRAM组件，助运算功耗降百倍
工研院与芯片制造龙头台积电合作，携手开发出自旋轨道转矩磁性内存（Spin Orbit Torque MRAM，简称SOT-MRAM）数组芯片搭配创新的运算架构，适用于内存内运算，且功耗仅为STT-MRAM百分之一，并在国际电子组件会议（IEDM）共同发布论文，展现次世代内存技术的研发能量。
工研院指出，这次借由工研院与台积电双方共同合作，发布重要研发成果，引领产业加速跻身下时代内存技术领先群，维持台湾半导体的国际竞争优势。
工研院电子与光电系统所所长张世杰指出，工研院和台积电继去年在全球半导体领域顶尖之“超大型积体技术及电路国际会议”（Symposium on VLSI Technology and Circuits）共同发布论文之后，今年更开发出兼具低功耗、10奈秒（nanoseconds；ns）高速工作等优点的SOT-MRAM单元，并结合电路设计完成内存内运算技术，进一步提升运算性能，跳脱MRAM以往以内存为主的应用场景。
张世杰表示，双方将研发成果共同发表在IEDM 2023，未来此技术可应用于高性能计算（HPC）、AI人工智能及车用芯片等。
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