美光宣布推出单片 32Gb DRAM大容量128GB RDIMM
内存大厂美光宣布推出128GB DDR5 RDIMM内存，采用32Gb单片晶粒，以高达8,000 MT/s的同类最佳性能支持当前和未来的数据中心工作，进而巩固美光的产业领导地位。
美光指出，此款大容量高速内存模块专为满足数据中心和云计算环境中各种关键应用的性能及数据处理需求所设计，包含人工智能 （AI）、内存数据库 （IMDBs）、高效处理多线程及多核心运算工作等。而采用美光领先业界的1β（1-beta） 技术，128GB DDR5 RDIMM内存使用32Gb DDR5 DRAM晶粒，相比其他3D堆栈直通晶体硅穿孔 （TSV） 产品具备位元容量提高超过45%、能源效率提升高达24%、延迟大幅降低16%、AI训练性能提升高达28%等优势。
美光副总裁暨运算产品业务群总经理Praveen Vaidyanathan表示，美光128GB DDR5 RDIMM为数据中心专用的大容量、高速率内存开创了新的标准，可满足日益增加的运算密集型工作负载所需的内存带宽与容量，对此我们深以为傲。美光将通过让客户尽早取得我们的先进技术，在顶尖大容量内存解决方案的设计与集成方面提供支持，进而改善整个数据中心生态系统。
美光32Gb DDR5内存解决方案选用创新晶粒架构，提供领先数组效率和最密集的单片DRAM晶粒。电压领域和更新管理功能有助于完善电源网络，进而改善能源效率。此外，美光也将晶粒尺寸的深宽比优化，借此提升32Gb大容量DRAM晶粒的制造效率。另外，通过AI驱动的智慧制造方式来实现世界级的创新，美光的1β技术制程节点创下史上最快的速度完成良率目标。美光的128GB RDIMM预计于2024年开始出货，可应用于搭载4,800 MT/s、5,600 MT/s和6,400 MT/s的平台，针对未来速度高达8,000 MT/s的平台也可适用。
美光32Gb-DRAM晶粒未来可持续扩展内存产品组合，包含提升带宽和能源效率的MCRDIMM以及采用JEDEC标准的MRDIMM产品，不论是128GB、256GB甚至是更大容量。凭借领先业界的制程与创新设计技术，美光提供多样的内存产品，涵盖RDIMM、MCRDIMM、MRDIMM、CXL和LP等规格，协助客户为AI和高性能计算（HPC）应用集成优化解决方案，满足对带宽、容量和功耗优化的需求。
页:
[1]