500亿人民币补助支持，中国NAND Flash与韩国技术差距剩两年
近年内存市场局势发生变化，韩国两大内存厂商三星和SK海力士面临中国厂商激烈竞争，感受到更高竞争压力，技术差距也不断缩小。
韩国媒体Business Korea报道，市场人士透露，中国增加支持内存产业，经过多年发展，与世界领先企业NAND Flash闪存技术差距缩短到两年。不过DRAM仍保持距离，技术差距约五年。缩短差距主因是NAND Flash闪存门槛相对低，追赶速度不断加速，差距缩小幅度会更明显。
中国最大内存半导体企业长江存储2022年闪存高峰会（FMS），发布基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC闪存，名为X3-9070。长江存储也领先三星和SK海力士，更快量产高层数NAND Flash闪存。
2022整年中国政府与国有投资基金投资就达约500亿人民币，持续且大量资金投入支持以取得发展，一方面是技术追赶，另一方面是更快渗透市场。半导体电路小型化逼近极限，中国可能抓住另一个缩小技术差距的机会，就是先进封装技术。中国是全球第二大封装技术市场，有完善生态系统，长电科技、通富微电和华天科技都进入全球十大半导体封装企业，韩国没有一家公司进入榜单。
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